sintoninstruments WCT120M技術參數(shù)

美國Sinton WCT-120少子壽命測試儀器采用了 的測量和分析技術，包括準穩(wěn)定態(tài)光電導(QSSPC)測量方法。可靈敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應,表面復合效應等缺陷情況。WCT在大于20%的超高效率太陽能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產(chǎn)過程中是一種被廣泛選用的 檢測工具。這種QSSPC測量少子壽命的方法可以在電池生產(chǎn)的中間任意階段得到一個類似光照IV曲線的開路電壓曲線，可以結合最后的IV曲線對電池制作過程進行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。主要應用：分布監(jiān)控和優(yōu)化制造工藝其它應用：· 檢測原始硅片的性能· 測試過程硅片的重金屬污染狀況· 評價表面鈍化和發(fā)射極擴散摻雜的好壞· 用得到的類似IV的開壓曲線來評價生產(chǎn)過程中由生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的漏電。

常見問題：美國Sinton WCT-120與WT-2000測少子壽命的差異？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）準穩(wěn)態(tài)光電導衰減法，而WT2000是微波光電導衰減法。WCT-120準穩(wěn)態(tài)光電導法測少子壽命的原理？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC準穩(wěn)態(tài)光電導）準穩(wěn)態(tài)光電導衰減法（QSSPC）和微波光電導衰減法（MWPCD）的比較？QSSPC方法*于其他測試壽命方法的一個重要之處在于它能夠在大范圍光強變化區(qū)間內對過剩載流子進行絕對測量，同時可以結合 SRH模型，得出各種復合壽命，如體內缺陷復合中心引起的少子復合壽命、表面復合速度等隨著載流子濃度的變化關系。

MWPCD方法測試的信號是一個微分信號，而QSSPC方法能夠測試少子壽命的真實值，MWPCD在加偏置光的情況下，結合理論計算可以得出少子壽命隨著過剩載流子的變化曲線，而QSSPC直接就能夠測得過剩載流子濃度，因此可以直接得出少子壽命與過剩載流子濃度的關系曲線，并且得到PN結的暗飽和電流密度；MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個到十幾個，甚至更小的尺寸，在照射過程中，只有這個尺寸范圍的區(qū)域才會被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子，也就是得到的結果是局域區(qū)域的差額壽命值，這對于壽命分布不均勻的樣品來說，結果并不具備代表性。主要特點：· 只要輕輕一點就能實現(xiàn)硅片的關鍵性能測試，包括表面電阻，少子壽命，陷阱密度，發(fā)射極飽和電流密度和隱含電壓。少子壽命測試儀 硅片少子壽命測試系統(tǒng) wct-120WCT-120+Suns-Voc 技術規(guī)格設備功能：硅片的少子壽命測試

少子壽命測試儀性能參數(shù)：1. 測量原理：QSSPC（準穩(wěn)態(tài)光電導）；2. 少子壽命測量范圍：100 ns-10 ms；3. 測試模式：QSSPC，瞬態(tài)，壽命歸一化分析；4. 電阻率測量范圍：3–600 (undoped) Ohms/sq5. 注入范圍：1013-1016cm-3；6. 感測器范圍：直徑40-mm；7. 測量樣品規(guī)格：標準直徑: 40–210 mm （或更小尺寸）；8. 硅片厚度范圍：10–2000 μm；9. 外界環(huán)境溫度：20°C–25°C；10. 功率要求：測試儀： 40 W ， 電腦控制器：200W ，光源：60W；11. 通用電源電壓：100–240 VAC 50/60 Hz；